FeDRAM - nowy pomysł na pamięci
13 sierpnia 2009, 11:47Naukowcy z Yale University i badacze z Semiconductor Research Corp. (SRC) ogłosili, że pamięci ferroelektryczne lepiej nadają się do zastąpienia obecnych układów DRAM niż pamięci flash. Już przed kilkoma miesiącami zaprezentowali oni eksperymentalny ferroelektryczny tranzystor dla układów FeDRAM.
E-skóra lekka jak piórko
26 lipca 2013, 12:57Zespół z Uniwersytetu Tokijskiego zaprojektował ultralekką folię (3 g m−2) spełniającą funkcję czujnika. Wykonana z niej e-skóra mogłaby monitorować organizm czy pomagać w komunikacji przez dotyk.
« poprzednia strona następna strona » … 5 6 7 8 9 10 11
